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未来新星:DDRⅡ内存技术综述

2003-01-15 17:44 作者: 姑苏飘雪 出处: 天极硬件频道 责任编辑:>小雷
7、ODT 功能


ODT原理图示

  ODT的英文全称为On Die Terminator,中文意思是片内终结器设计。在进入DDR时代,DDR内存对工作环境提出更高的要求,如果先前发出的信号不能被电路终端完全吸收掉而在电路上形成反射现象,就会对后面信号的影响从而造成运算出错。因此目前支持DDR主板都是通过采用终结电阻来解决这个问题。由于每根数据线至少需要一个终结电阻,这意味着每块DDR主板需要大量的终结电阻,这也无形中增加了主板的生产成本,而且由于不同的内存模组对终结电阻的要求不可能完全一样,也造成了所谓的“内存兼容性问题”。

  而在DDR II中加入了ODT功能,即是将终结电阻设于内存芯片内,当在DRAM模组工作时把终结电阻器关掉,而对于不工作的DRAM模组则进行终结操作,起到减少信号反射的作用(注:ODT的功能与禁止由北桥芯片控制,在开机进行EMRS时进行设置,ODT所终结的信号包括DQS、RDQS、DQ等等。),这样可以产生更干净的信号品质,从而产生更高的内存时钟频率速度。而将终结电阻设计在内存芯片之上还可以简化了主板的设计,降低了主板的成本,而且终结电阻器可以和内存颗粒的"特性"相符,从而减少内存与主板的兼容问题的出现。

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